Kioxia und SanDisk haben mit der Probenahme ihrer 332-Schicht-BiCS 3D-NAND-Speicherchips der zehnten Generation begonnen.
Die neuen 1 Tbit TLC-Chips (3 Bits pro Zelle) sind für die Bereitstellung von SSDs in Unternehmen und Rechenzentren konzipiert.Neben einem Anstieg der Stapellagen um 52%, hat das Duo zwei wichtige Upgrades übernommen: CMOS Direct Bonded to Array (CBA) und On-Pitch Select Gate Drain (OPS) Technologien.Der CBA-Prozess stellt Logik- und NAND-Zellwafer separat her, bevor sie miteinander verbunden werden, während OPS die Bitzeilenlänge reduziert und die Wortzeilenkapazität durch Beseitigung redundanter Speicherlöcher reduziert.
Die verbesserte seitliche Skalierung und zusätzliche 114 gestapelte Schichten erhöhen die Zelldichte des Chips.Kioxia bestätigt auch eine um 18% verbesserte Schreibleistung und eine um 30% verbesserte Lesleistung, wodurch der Gesamtstromverbrauch verringert wird.
Kioxia's Zwischen BiCS 9-Technologie nutzt 218-schichtige BiCS 8 3D-NAND-Zellen, die mit einer unabhängigen CMOS-Logik-Schicht gekoppelt sind und eine bessere Leistung bieten als die ursprüngliche BiCS 8-Schaltung.Ausgestattet mit Toggle DDR6.0-Schnittstelle und dem Separate Command Address (SCA) -Protokoll erreicht BiCS 10 eine Übertragungsrate von 4,8 Gbit/s, was dem gleichen 33%igen Geschwindigkeitsanstieg gegenüber BiCS 8 entspricht.
Sandisk und Kioxia bieten BiCS 10 NAND
Die Massenproduktion von BiCS 10 soll nächstes Jahr in der japanischen Kitakami-Anlage 2 in der Präfektur Iwate starten.Beide Unternehmen teilen sich die Produktion der Fabriken und liefern derzeit 10 BiCS-Proben.Die 332-Schicht-Plattform unterstützt auch kommende QLC-Varianten (4 Bits pro Zelle), die die Chipkapazität um ein Drittel erhöhen können.Anstatt ein monolithisches 332-Schicht-Chip-Design zu übernehmen.
Kioxia erwartet eine nachhaltig starke Nachfrage nach NAND, die durch die steigende Beliebtheit von agentenartiger KI und KI-gestützter Robotik angetrieben wird.CEO Hiroo Ota signalisierte eine potentielle Kapazitätserweiterung bei einer japanischen Medienveranstaltung, in dem festgestellt wird, dass das Unternehmen dem anhaltenden Marktwachstum vollständig gerecht wird.
In der Wettbewerbslandschaft verfügt SK Hynix' neunte 3D-NAND-Generation über 321 Ebenen mit einer dreifachen String-Stapelstruktur.Einführung einer Cell-on-Periphery-Architektur (CoP) mit getrennten Logik- und Speicherwafern zur Herstellung von 1 Tbit-DaysMicron bietet derzeit 276-Schicht-NAND, ohne offizielle Updates auf zukünftigen Schicht-Roadmap.Chinas YMTC ist bereit, seine 300-Schicht-Klasse 3D-NAND-Technologie in naher Zukunft zu veröffentlichen.
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